國產SRAM芯片EMI502NL16VM可替換IS61WV12816EDBLL

EMI502NL16VM系列由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。這些系列支持工業溫度范圍和芯片級封裝，以使用戶靈活地進行系統設計。該系列還支持低數據保持電壓，以低數據保持電流實現電池備份操作。此款國產SRAM芯片可替換ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI代理支持提供技術支持及樣品測試。
 
特征
●工藝技術：全CMOS
●位寬：128Kx16位
●電源電壓：2.3V?3.6V
●低數據保持電壓：1.5V（最小值）
●三態輸出和TTL兼容
●標準44TSOP2，48BGA
●工業操作溫度
 
引腳封裝
 
ISSI IS6164WV12816EDBLL是一種高速的2,097,152位靜態RAM，以131,072個字乘16位組織。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合，可生產出高性能和低功耗的設備。IS61WV12816EDBLL封裝在JEDEC標準的44引腳TSOP-II和48引腳BGA中。
 
特征
CMOS待機
•單電源
-Vdd2.4V至3.6V（10ns）
-Vdd3.3V±10％（8ns）
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•三態輸出
•高低字節數據控制
•工業和汽車溫度支持
•無鉛可用
•錯誤檢測和錯誤糾正
 
引腳封裝
   

本文關鍵詞：EMI502NL16VM   國產芯片  

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