Everspin MRAM芯片MR2A16ACYS35替換富士通MB85R4M2TFN鐵電存儲器

MR2A16ACYS35是由256Kx16組織的MRAM系列的4Mb產品。Everspin的4Mb MRAM MR2A16ACYS35可以與富士通4Mb 鐵電RAM MB85R4M2T較慢的時序一起運行，但也允許系統設計人員利用MRAM快四倍的隨機訪問周期時間。Everspin 4Mb MRAM MR2A16ACYS35采用44引腳TSOP2和48球BGA封裝。everspin代理英尚微電子提供必要的技術支持等解決方案。
 
MR2A16ACYS35的優點
與富士通鐵電存儲器相比，升級到Everspin MRAM具有許多優勢：
•更快的隨機訪問操作時間
•高可靠性和數據保留
•無限讀/寫耐久性
•無需擔心磨損
•有競爭力的價格
•穩定的制造供應鏈
•小尺寸BGA封裝
 
封裝引腳
MR2A16ACYS35是一個4Mb非易失性MRAM，組織為256kx16，由標稱3.3V電源供電，并與FRAM兼容。兩款產品均使用標準SRAM并行地址（A0-16）、字節寬雙向數據引腳（DQ0-7）和控制信號（/E、/W、/G）。每個都可以由一個公共定時接口支持，并將用作隨機存取讀/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。
 

范圍	MB85R4M2TFN-G-JAE2	MR2A16ACYS35
封裝	44-Pin TSOP	44-Pin TSOP
尺寸和高度	10.16×18.41×1.2mm	10.16×18.41×1.2mm
引腳排列	參見下面的圖1
焊接曲線	根據 JEDEC J-STD-020D.1

     
Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MR2A16ACYS35 MRAM使用更簡單的1晶體管、1磁隧道結單元構建。簡單的Everspin MRAM單元可提高制造效率和可靠性。MRAM使用磁性隧道結技術進行非易失性存儲。數據不會在高溫下泄漏，并且沒有磨損機制來限制該技術中的讀取、寫入或電源循環次數。在125℃下，數據保留時間優于20年。


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本文關鍵詞： MRAM 鐵電RAM   

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