DDR6可能會面臨的挑戰(zhàn)

DDR的引入可以說是電子行業(yè)進入高速數(shù)字化的時期。ECL邏輯組件發(fā)揮了作用，但DDR存儲器一直是一個典型的例子，表明數(shù)據(jù)速率隨著時間的推移而穩(wěn)步提高。DDR5的應用仍在推進中，但業(yè)界已經(jīng)在展望DDR6 ram。
 
在DDR3之前，設計人員需要考慮設計以適應建立和保持時間以及總線上的受控阻抗。直到DDR3數(shù)據(jù)速率的高端為止，色散補償都不是這樣的問題，因為抖動開始成為信號解釋中的主要問題。在低電平信號中看到的相對較小的抖動將大到足以關閉DDR3信號的眼圖。因此更新了JEDEC標準以提供DDR4眼圖的設計容差。
 
DDR5采用了高端DDR4數(shù)據(jù)速率，并通過使總線更快而不是更寬而再次將其翻倍。在布置并行單端網(wǎng)絡方面，仍在處理DDR4布線挑戰(zhàn)，但這些通道要短得多。總線也將運行得足夠快，以至于誤碼主要由接收器處的反射損耗、任何層轉換處以及色散引起。較短的通道有效地降低了總插入損耗，但回波損耗色散需要通過極高帶寬的極其精確的互連阻抗設計來補償。
 
對于DDR5，數(shù)據(jù)傳輸在具有雙向通信的單端網(wǎng)絡上以短脈沖形式發(fā)生。全速時鐘允許在互連的每一端在讀取和寫入之間切換。一切都必須非常快速地切換，這需要無可挑剔的PDN設計來盡可能地抑制抖動。典型電路板上的PDN阻抗只能變得如此之低，而且DDR5中的低信號電平（最大1.1V）對數(shù)字信號施加了非常嚴格的紋波/抖動限制。這些以反射為主的通道問題和疊加在低電平信號上的低紋波要求現(xiàn)在迫使控制器在DDR5接口中使用均衡，以補償信號失真和符號間干擾(ISI)。請注意，這種均衡已經(jīng)用于高速差分串行標準（例如，SerDes通道中的LVDS）。DDR5中還有許多其他設計挑戰(zhàn)需要考慮，但上面列出的挑戰(zhàn)可以說是最大的挑戰(zhàn)。

本文關鍵詞：DDR ram

相關文章：全球再添一座12英寸晶圓廠

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。