中國NOR Flash廠商兆易創新可能與美國DRAM廠商ISSI合并

        近來中國發展半導體存儲芯片產業的勢頭猛進，整并、建廠動作一波接一波。相關廠商也基本都取得了相應的技術授權或者技術支持，武漢新芯啟動的存儲器項目跟飛索半導體達成了技術授權合作，且其本身有一定的技術儲備，而晉江晉華打造內存基地則是由臺灣聯電負責技術開發。
　　日前中國存儲芯片產業又跑出了一匹黑馬—兆易創新。此前科技新報指出中國NOR Flash廠商兆易創新可能與美國DRAM廠商ISSI（Integrated Silicon Solution）合并（ISSI于去年7月份被武岳峰資本收購），從9月份停牌至今的兆易創新于19 日發出持續停牌公告，并正式揭露了將與ISSI整并的消息。
　　兆易創新公告中指出，公司擬收購北京閃勝投資公司，北京閃勝主要擁有先前以中國私募基金武岳峰為首所收購的美DRAM廠商ISSI股份，兆易創新若與ISSI合并，加上現有的NOR Flash 技術，將成為Flash與DRAM兼備的綜合型存儲芯片廠商。
　　ISSI主要設計與銷售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成電路產品，主要應用于汽車、工業、醫療、網絡、行動通訊等。
　　中國存儲產業海外并購異常艱難，在ISSI前僅有紫光收購從奇夢達分拆出來的西安華芯半導體一家DRAM企業。
　　近日，又有媒體報道兆易創新傳出與中芯國際前執行長王寧國所主導的合肥長鑫國家隊共同在合肥建立存儲芯片廠。
　　日前，該項目的環評文件曝光也間接證實了此消息，文件顯示：該項目總投資達人民幣494億元，一期主要目標是在合肥空港經濟示范區建造一條占地超過800畝的12英寸晶圓產線，預計2017年7月竣工，目標產能每月12.5萬片。
　　目前，大陸存儲芯片制造產業布局已形成武漢、晉江、合肥鐵三角態勢，未來三地若能形成聯動，加強合作溝通，規避惡性競爭，將會進一步助力中國存儲芯片產業早日實現突破。

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