臺積電重返內存市場 瞄準MRAM和RRAM

       晶圓代工大廠臺積電和三星兩者之間的競爭，從邏輯芯片擴展到內存市場。 臺積電這次重新進攻內存市場，目標是需求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，由于傳輸速度比一般閃存快上萬倍，未來是否會引起內存產業的新潮流，值得關注。
       臺積電技術長孫元成近日在臺積電技術論壇上，第一次披露臺積電研發多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內存）和eRRAM（嵌入式電阻式內存），分別定于明后年實行風險性試產，主要使用22mn制程，這將是臺積電因應高速運算計算機、物聯網、行動裝置和智能汽車等四領域所供給效能更迅速和耗電更低的新內存。

                  
                            臺積電次世代內存布局

       這也是臺積電共同執行長魏哲家向法人表示不會跨足標準型內存，不會角逐東芝分割成立半導體公司股權后，臺積電再次說明內存的戰策布局，將盯上效能比一般DRAM和儲存型閃存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。
       此前三星電子也在一場晶圓廠商論壇中發表該公司所研發的MRAM。三星目前也是全球中首個可提供此次世代內存產品的內存廠，產品技術時程遠遠超越臺積電，三星的MRAM并獲恩智浦導入。
       據了解，臺積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內存研發，多年來因難度高，商業化和競爭力遠不如DRAM，導致多家廠商都都僅限于研發。
       內存業者表示，次世代內存中，投入研發的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內存（PRAM）等三大次世代內存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產的內存類型。
       不過，在DRAM和NAND Flash制程已接近極限，包括AI人工智能、無人車、高階智能型手機和物聯網等要求快速演算等功能，是臺積電認為商機即將成熟并決定在2018及2019年提供相關嵌入及整合其他異質芯片技術，進行商業化量產。

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