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      Everspin推出首款ST-MRAM芯片,推出商用自旋扭矩存儲器時(shí)代

      2018-05-29 15:31:36


      誰說科學(xué)突破永遠(yuǎn)不算什么? Everspin跟進(jìn)了IBM,TDK和德國研究人員幾年前開發(fā)的研究成果,并在市場上推出了首款商用自旋扭矩磁阻RAM(ST-MRAM)。該技術(shù)通過利用電子“旋轉(zhuǎn)”將數(shù)據(jù)存儲在磁性而非電子狀態(tài)中,從而提供不易磨損的非易失性存儲器。該公司表示,第一顆芯片的尺寸大約是閃存成本的50倍,但典型的NAND模塊可以執(zhí)行大約800 IOPS,ST-MRAM的吞吐量可達(dá)400,000,因此非常適合SSD緩存和其他要求苛刻的應(yīng)用。 Everspin已經(jīng)開始以DDR3規(guī)格發(fā)布64Mb DIMMS的工作樣本,并表示未來的版本將擴(kuò)展到千兆字節(jié)容量和更快的速度 – 
       
      Everspin為高性能存儲系統(tǒng)首次推出Spin-Torque MRAM
       
      MRAM領(lǐng)先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準(zhǔn)備設(shè)計(jì)和制造生態(tài)系統(tǒng)
       
      亞利桑那州錢德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在業(yè)界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM(ST-MRAM),這是一種新型高性能和超低延遲內(nèi)存,預(yù)計(jì)將改變存儲架構(gòu)并有助于推動(dòng)摩爾定律的不斷演變。
       
      ST-MRAM是一款性能優(yōu)化的存儲級存儲器(SCM),通過提供非易失性,高耐用性和超低延遲,將當(dāng)今傳統(tǒng)存儲器的作用與未來存儲系統(tǒng)的需求結(jié)合起來。該64Mb器件是Everspin ST-MRAM產(chǎn)品中的第一款產(chǎn)品,計(jì)劃通過更快的速度擴(kuò)展至千兆密度存儲器。
       
      ST-MRAM。
       
      Gartner研究副總裁Joseph Unsworth表示:ST-MRAM的特性對企業(yè)SSD市場特別有吸引力,因?yàn)樗軌蛟鰪?qiáng)和補(bǔ)充閃存技術(shù)。 “這項(xiàng)技術(shù)的商業(yè)化是一個(gè)重要的行業(yè)里程碑,應(yīng)該繼續(xù)推動(dòng)SSD在數(shù)據(jù)中心和內(nèi)存計(jì)算架構(gòu)中的普及。”
       
      第一款將DRAM的速度和耐用性與閃存的非易失性,ST-MRAM相結(jié)合的半導(dǎo)體存儲器為高性能存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員提供了實(shí)現(xiàn)超低延遲,提高可靠性,高循環(huán)耐用性和保護(hù)數(shù)據(jù)的能力的功率損失。潛在用途的一個(gè)例子是在云存儲領(lǐng)域 - 即使添加了更多的用戶和內(nèi)容,更快和一致的數(shù)據(jù)存儲訪問也是必需的。
       
      “IDC固態(tài)存儲和使能技術(shù)研究總監(jiān)Jeff Janukowicz表示:”現(xiàn)有存儲器技術(shù)面臨著在性能,功耗和可靠性達(dá)到適當(dāng)平衡時(shí)所面臨的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 “第一個(gè)64Mb自旋扭矩MRAM的商業(yè)化是在更廣泛地使用更多種類的非易失性存儲器技術(shù)以提高存儲設(shè)備可靠性和提高性能方面的一個(gè)行業(yè)里程碑。”
       
      Everspin專有的自旋扭矩技術(shù)使用自旋極化電流進(jìn)行開關(guān)。數(shù)據(jù)存儲為磁性狀態(tài)與電子電荷,提供非易失性存儲器位,不會出現(xiàn)與Flash技術(shù)相關(guān)的磨損或數(shù)據(jù)保留問題。 EMD3D064M 64Mb STMRAM在功能上與DDR3接口的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JEDEC規(guī)范兼容,每個(gè)I / O每秒傳輸高達(dá)1600萬次傳輸,轉(zhuǎn)換為以納秒級延遲高達(dá)3.2 GBytes /秒的內(nèi)存帶寬。該產(chǎn)品采用符合DDR3標(biāo)準(zhǔn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)WBGA封裝。
      ST-MRAM為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供持久,高耐久性存儲或內(nèi)存的優(yōu)勢,適用于要求更高可靠性且需要DDR3速度性能提升的應(yīng)用。 64Mb密度的MRAM為固態(tài)和RAID存儲系統(tǒng)以及存儲設(shè)備中的非易失性緩沖區(qū)和高速緩存提供了理想的入口點(diǎn)。 64Mb器件將補(bǔ)充現(xiàn)有的低成本存儲器技術(shù),減少了過度使用。


      本文關(guān)鍵詞:Everspin
       
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