Everspin為高性能存儲系統首次推出Spin-Torque MRAM

 

Everspin領先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準備設計和制造生態系統

 

亞利桑那州錢德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在業界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），這是一種新型高性能和超低延遲內存，預計將改變存儲架構并有助于推動摩爾定律的不斷演變。

 

STT-MRAM在速度、面積、寫入次數和功耗方面能夠達到較好的折中，因此被業界認為是構建下一代非易失性緩存和主存的理想器件。STT-MRAM的應用前景并不局限于傳統的計算機存儲體系，還能夠擴展到其他諸多領域，甚至有望成為通用存儲器。例如，寶馬公司在發動機控制模塊采用MRAM以保證數據在斷電情況下不丟失。鑒于磁性存儲具有抗輻射的優勢，空客公司在A350的飛行控制系統中采用MRAM以防止射線造成數據破壞。此外，在物聯網和大數據等新興應用領域，泛在的傳感器終端需要搜集海量數據，為節省存儲功耗，使用非易失性存儲器勢在必行，STT-MRAM以其相對優良的性能成為熱門的候選器件

產品列表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

 

本文關鍵詞：Everspin

 

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