STT-MRAM高密度低能耗技術

STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了帶磁性外殼的附加寫信息線，最大限度地減少了制備工藝程序，并使存儲單元的橫截面積減小、存儲密度高、存儲速度快，滿足高性能計算機系統的設計要求。
 
研究人員建議用反鐵磁材料制造STT-MRAM器件-與目前使用的鐵磁材料相反。研究人員說這些材料將使高密度器件能夠以低電流實現高速寫入。
 
反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性，但在宏觀尺度上卻沒有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。
 
研究人員還證明，電流可用于可逆地切換在重金屬底層上構圖的反鐵磁存儲位，并且重要的是，首次使用與現有半導體制造技術完全兼容的材料來進行此操作。另外該工作實現了迄今為止報道的用于切換反鐵磁材料的最低電流密度。


最后研究人員還表明，該設備可以設計為模擬（憶阻）元件，而不是雙穩態元件，這意味著它可以在神經形態計算的突觸中找到應用。
 
STT-MRAM芯片具有重要的軍事應用，在抗惡劣環境高性能計算機、軍用衛星、導彈、火箭、航天飛行器控制和數據存儲系統中都需要具有超高密度、超大容量、超低能耗、隨機存儲、非易失性、結構簡單、抗輻照能力強等優點的存儲器系統。英尚微電子已為廣大用戶提供了大量的EVERSPIN MRAM芯片及STT-MRAM.可提供樣品及技術支持。
 

本文關鍵詞：STT-MRAM

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