非易失性MRAM誕生過程
2020-04-02 09:11:42
MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可使MRAM不需改變內存狀態，便能快速讀取數據。在MRAM存儲器中有一個富含創造性的設計，這也是
EVERSPIN的專利。
在MRAM的誕生過程中，設計的難點和關鍵節點，在于一個小電流通過“自由層”，并使之翻轉，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動也會造成錯誤。為此MARM的產品化道路一度陷入低迷。
在2004初一個俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結構和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實驗數據. 實驗證明TOGGLE MRAM具有相當大的操作窗口。另一個重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時宣布拿到了300%的MTJ信號。2004年在業界是非常激動人心的時刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
現在MRAM有很多優異的指標，但是并非完美。它的存儲密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲器產品。但是根據摩爾定律，芯片尺寸會越來越小，這也是為什么很多人都認為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲器的存儲密度遠遠高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競爭對手。MRAM想在未來新存儲的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。
Everspin MRAM選型鏈接:http://m.bfen.cn/list-180-1.html
本文關鍵詞：MRAM
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