非易失性MRAM基本知識大全

MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
 
MRAM特性
●MRAM讀/寫周期時間:35ns;
●真正無限次擦除使用;
●業內最長的壽命和數據保存時間——超過20年的非易失特性;
●單芯片最高容量為16Mb;
●快速、簡單接口——16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口;
●具有成本效益——簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元;
●最佳等級的軟錯誤率——遠比其它內存優異;
●可取代多種存儲器——集Flash、SRAM、EEPROM、DRAM的功能于一身;●具備商業級、工業級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍;
●符合RoHS規范:無電池、無鉛;
●小封裝:TSOP、VGA、DFN
 
MRAM的存儲原理
MRAM是以磁性隧道結(MTJ)儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。此磁阻效應可使MRAM不需改變內存狀態，便能快速讀取數據。當流經兩金屬線的電流足以切換MTJ的磁場時，在兩金屬線交點的MTJ就會被極化(寫入)。此過程能以SRAM的速度完成。

 
MRAM的優勢
優勢一:
其采用的磁性極化的方式與傳統的電荷存儲方式不同，有效避免了電荷漏電的問題，從而保證數據能夠在寬廣的溫度范圍內被長期保存。
優勢二:
兩個狀態間的磁性極化切換不會涉及到實際的電子或原子移動，因此不會有耗損機制的存在。
優勢二:
兩個狀態間的磁性極化切換不會涉及到實際的電子或原子移動，因此不會有耗損機制的存在。
 
非易失性存儲器-串行mram
典型電路示例—MR25H40 4Mbit MRAM

 
非易失性存儲器-并行mram
典型電路示例—MR2A16A 256K×16 MRAM
   
非易失性存儲器-MRAM選型
   
非易失性存儲器-MRAM的應用
   
MRAM使用問題
MRAM是一種鐵磁性存儲器，在使用的時候，應盡量避免與強磁性物質否則高壓大電流導體進行短距離接觸，否則容易導致內部數據丟失甚至是芯片損壞。
   
Everspin是專業設計和制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品，為MRAM用戶奠定了強大的基礎。Everspin一級代理英尚微電子可為用戶提供驅動和例程等技術方面支持。


更多詳情點擊該鏈接：http://m.bfen.cn/list-180-1.html


本文關鍵詞： MRAM   

相關文章：MRAM與現行各類存儲器的比較

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。