鐵電存儲器FRAM的特性

首先我們解釋一下FRAM是什么。FRAM是電子元器件中的一種半導體產品。半導體產品有微處理器、邏輯器件、模擬器件、存儲器件等各種器件。
 
FRAM是DRAM和閃存等存儲設備之一。FRAM代表鐵電隨機存取存儲器。它也被稱為鐵電存儲器，因為它使用鐵電元件來存儲數據。下面富士通代理英尚微介紹關于鐵電存儲器FRAM的特性。

?四種FRAM特性
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
 
通過四大特性，FRAM可以滿足客戶對存儲設備的要求，例如獲取更多數據和保護寫入數據。

?與其他內存的比較
表1顯示了與其他可替換為FRAM的EEPROM、閃存、SRAM存儲設備的比較。

 
FRAM比非易失性存儲器的EEPROM和Flash存儲器具有更好的“保證寫入周期”和“寫入周期時間”特性。雖然SRAM需要數據備份電池來保存數據，但FRAM不需要它，因為它是非易失性存儲器。
 
由于上述原因，FRAM相對于其他傳統存儲設備具有優勢。
 
?FRAM特性ー高讀/寫耐久性
首先是“高讀/寫耐久性”。
 
“高讀寫耐久性”意味著內存可以多次讀寫數據。這個數字越高，您可以讀寫的數據就越多。
 
FRAM保證最多10萬億次寫入，相當于EEPROM的100萬次寫入100萬次。雖然一些新的EEPROM可以保證400萬次寫入，但與FRAM的數字差異仍然很大。
 
10萬億次寫入意味著您可以在很短的時間內重寫數據，每0.03毫秒一次，連續10年。在正常使用情況下，這個值意味著幾乎無限，使用FRAM，您可以獲得比使用EEPROM更頻繁和準確的數據。
 
通過使用具有這一優異特性的鐵電存儲器，客戶可以高頻率和高精度地收集數據。因此客戶可以通過了解他們以前看不到的復雜數據曲線來了解數據的真實行為。
 
?FRAM特性ー快速寫入速度
接下來，我們繼續“快速寫入速度”。
 
FRAM中完成寫操作的時間比EEPROM短。這意味著鐵電存儲器具有更快的寫入速度。
 
EEPROM需要長達5ms的寫入時間，因為在寫入操作之前需要進行耗時的擦除操作。而FRAM不需要這種擦除操作，只覆蓋數據，更簡單，因此寫入時間短至150ns，比EEPROM快33000多倍。通過這種快速寫入，即使突然斷電，也可以在斷電前完成寫入操作。
 
實際上我們使用我們的演示板進行了100多次數據寫入失敗測試。結果它觀察到FRAM沒有寫入錯誤，而EEPROM每3次測試就有一個寫入錯誤。
 
即使通過該測試，我們也確認即使在突然斷電的情況下，FRAM中也不太可能發生寫入錯誤。
 
?FRAM特性ー降低功耗
第三個特點是“低功耗”。
 
當我們專注于寫操作時，FRAM可以降低92%的功耗。這是因為FRAM的寫入時間比EEPROM短很多。
 
差異取決于條件，但在非常頻繁的數據記錄下運行時，FRAM有助于降低客戶最終產品的功耗。
 
FRAM是一種非易失性存儲器，不需要像SRAM那樣的數據保持電流。因此客戶將不再需要將SRAM替換為FRAM的數據備份電池。
 
 
本文關鍵詞： 鐵電存儲器

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