NV-SRAM相對于FRAM存儲器技術的主要優勢

Microchip的電池供電SRAM器件具有真正的無限讀寫周期、更低的待機電流、更寬的電壓范圍，并且可以通過SPI或SDI串行總線訪問以實現快速數據傳輸。通過簡單地添加電池，NVSRAM即使在斷電后也可以保留數據。雖然FRAM是用于長期數據存儲的存儲器，但NVSRAM非常適合將數據移入和移出應用程序，而無需擔心讀寫周期、磨損和功耗。
 
表1總結了FRAM和NVSRAM之間的主要區別。
 

	NVSRAM(SPI接口)	FRAM(SPI接口)
電源電壓	2.5-5.5V	2-3.6V
待機電流	4μA	90μA
最大數據速度	20MHz	40MHz
串行雙接口	Yes	No
無限讀/寫周期	Yes	No
數據保留	直到電池耗盡	10年
溫度范圍	工業：-40°C 至 +85°C 儲存：-65°C 至 +150°C	工業：-40°C 至 +85°C 儲存：-55°C 至 125°C
封裝	8-Lead SOIC 8-Lead PDIP 8-Lead TSSOP	8-Pin SOIC
價格	低	高

 
NV-SRAM的優勢
 
有幾個關鍵特性使NVSRAM成為比FRAM技術更好的解決方案。
•無限寫入周期：NVSRAM具有真正的無限寫入周期，而FRAM存儲單元會隨著每次寫入而磨損。
•非破壞性讀取：FRAM存儲器的工作方式是，對于每次讀取，數據都會被破壞，并且必須將其寫回單元。這實際上計入了內存的寫入周期數。但是NVSRAM單元的工作方式意味著沒有破壞性讀取，并且寫入周期的數量確實是無限的。
•數據保留：FRAM可以存儲數據十年。NVSRAM數據保留僅受所選電池的限制。
•模式寄存器：NVSRAM使用模式寄存器來選擇操作模式：字節、頁或順序。默認狀態是連續的，其中內部地址計數器自動遞增，頁面邊界被忽略。在頁面模式下，讀取和寫入限制為一頁。當到達頁面的最后一個地址時，內部地址計數器將翻轉到頁面的開頭。在字節模式下，只能讀取或寫入一個字節到設備

本文關鍵詞：NVSRAM,FRAM,SRAM

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