非易失性存儲器存儲器MRAM提供替代方案

    閃存目前最流行的非易失性存儲器NVM，但一些應用程序開始采用其他類型的嵌入式NVM技術，因為嵌入式閃存無法超越28nm，也因為其成本、功耗和性能優勢。
 
    非易失性存儲器NVM包括ReRAM、PCM、MRAM和FRAM在內的存儲器提供了替代方案。每種技術在成本、復雜性、功率和性能方面都有各自的優勢和挑戰。MRAM存儲芯片供應商英尚微簡單介紹關于MRAM。
 
    Everspin MRAM產品采用一個晶體管、一個磁性隧道結(MTJ)存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定磁性層、薄電介質隧道勢壘和自由磁性層組成。當向MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子通過稱為隧道效應的過程穿過電介質勢壘。
 
    MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，在單個無限耐用的設備中提供SRAM的速度和閃存的非易失性。
 
    MRAM的數據雖然是以磁性狀態進行存儲，但其讀取數據的方式是靠測量電阻來感知，對其磁性狀態不會造成干擾。MRAM作為新型非揮發性存儲器，在存取速度、次數和功耗上都較優越，但要投入市場應用，還需解決以下難題：寫或擦除數據時的磁性干擾問題；復雜的磁性材料薄膜制備工藝，且其薄膜厚度不容易控制，影響器件的均勻性；與傳統CMOS工藝的兼容方面，有待進一步地優化。

    我司英尚微電子提供代理MRAM、STT-MRAM、XSPI MRAM等存儲芯片，支持樣品和技術相關支持。提供的MRAM產品部署在數據中心、云存儲、能源、工業、汽車和運輸市場等。
 

本文關鍵詞：MRAM

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