國產高性能psram偽靜態存儲器選型優勢
2025-10-11 09:41:30
PSRAM（偽靜態存儲器）作為一種結合DRAM技術和SRAM性能優勢的內存解決方案，正在成為眾多應用場景的首選。本文深入解析PSRAM的技術特點，并提供國產高性能PSRAM選型的關鍵考量因素。
1、什么是PSRAM偽靜態存儲器？
PSRAM全稱為Pseudo Static Random Access Memory（偽靜態隨機存儲器），是一種采用DRAM工藝技術實現類似SRAM性能的創新內存器件。這種獨特的技術路線使PSRAM在性能、成本和功耗之間取得了卓越平衡。
2、國產高性能psram偽靜態存儲器選型優勢
（1）架構差異帶來的成本優勢
PSRAM采用與DRAM相同的1T1C（一晶體管一電容器）架構，而SRAM則采用6T（六晶體管）架構。這一根本差異使得在相同芯片體積下，PSRAM能夠實現更大的存儲容量，單位存儲容量的價格顯著低于SRAM，為成本敏感型應用提供了理想解決方案。
（2）接口簡潔性與功耗優勢
PSRAM偽靜態存儲器在接口設計上實現了類SRAM的簡潔體驗：通過地址、命令管腳與I/O管腳的復用技術，大幅減少了管腳數量，降低了系統設計的復雜性。在功耗管理方面，PSRAM采用的自行刷新（Self-Refresh）技術無需外部刷新電路即可保持數據完整性。相比之下，DRAM需要定期刷新充電以防止數據丟失，這使得PSRAM在功耗表現上更具優勢。
3、國產高性能PSRAM選型核心要素
綜合比較PSRAM與DRAM、SRAM的技術特性，PSRAM偽靜態存儲器在以下三個關鍵選型指標上表現卓越：
（1）管腳精簡設計：簡化系統布局，降低設計復雜度
（2）低功耗特性：自刷新技術延長電池壽命，適合便攜設備
（3）成本優勢：相較于SRAM更具競爭力的價格點
這些優勢使得國產高性能PSRAM在物聯網設備、便攜式電子產品、工業控制等領域的存儲器選型中成為首選方案。在選擇適合的國產PSRAM產品時，建議綜合考慮具體應用場景的性能需求、功耗預算和成本目標，以確保選擇最優的內存解決方案。
本文關鍵詞：psram,偽靜態存儲器
上一篇文章：4Q25 DRAM價格延續漲勢，服務器需求提前發酵
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. m.bfen.cn 0755-66658299
