符合汽車行業(yè)AEC Q100規(guī)范的富士通FRAM鐵電存儲器解決方案

汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過全新FRAM解決方案，得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品。富士通推出的FRAM解決方案——MB85RS128TY和MB85RS256TY，這兩款器件可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運作，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計，且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。希望通過該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場的各種應(yīng)用，并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項目。
 
FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
 
車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來越高，因為當(dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM鐵電存儲器屬于非失去性內(nèi)存，不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應(yīng)用的需求。
   
富士通電子車用FRAM 產(chǎn)品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit兩個容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度，這樣的寬溫范圍符合車用市場標(biāo)準(zhǔn)及高溫環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高達(dá)10兆次的寫入次數(shù)，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝。
 
目前FRAM器件能支持如安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、事故數(shù)據(jù)記錄器（EDR）、電池管理系統(tǒng)（BMS）、汽車駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及導(dǎo)航與信息娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用中的實時且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存，故能降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。
 
 
本文關(guān)鍵詞： FRAM  富士通   MB85RS128TY  MB85RS256TY

上一篇文章：應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。