EVERSPIN MRAM新增更多型號(hào)產(chǎn)品

在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下這些器件仍可正常運(yùn)作，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計(jì)，完全符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求。

車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求日益增多，于是市場(chǎng)對(duì)于高效能非易失性內(nèi)存技術(shù)的需求也越來越高，因?yàn)楫?dāng)系統(tǒng)在進(jìn)行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類內(nèi)存才能夠穩(wěn)當(dāng)并無延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。因?yàn)镸RAM屬于非失去性內(nèi)存，不但能夠進(jìn)行高速隨機(jī)存取，且具有高耐寫度的的優(yōu)勢(shì)，因此能以最好的性能滿足這類應(yīng)用的需求。目前，MRAM器件能支持如事故數(shù)據(jù)記錄器（EDR）、安全氣囊數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、電池管理系統(tǒng)（BMS）、汽車駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及導(dǎo)航與信息娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用中的實(shí)時(shí)且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，這樣能夠降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。

搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit兩個(gè)容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度，這樣的寬溫范圍符合車用市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)及高溫環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用需求。

MR25H256AMDF和MR25H256AMDFR, MR25H256APDF, MR25H256APDFR提供高達(dá)10兆次的寫入次數(shù)，采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝。

本文關(guān)鍵詞：  MRAM磁性存儲(chǔ)器              

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