嵌入式存儲(chǔ)STT-MRAM取代NOR Flash勢(shì)在必行

STT-MRAM的下一好時(shí)機(jī)就是嵌入式存儲(chǔ)器IP市場(chǎng)，NOR Flash是傳統(tǒng)嵌入式存儲(chǔ)器，隨著制程從40nm進(jìn)展到28nm，NOR Flash開始呈現(xiàn)很多的問(wèn)題，于是，這些代工廠的支持可以將STT-MRAM轉(zhuǎn)化為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的替代技術(shù)。

正如GlobalFoundries嵌入式存儲(chǔ)器副總裁Dave Eggleston所說(shuō)，嵌入式快閃存儲(chǔ)器將一直是資料保存技術(shù)主流，尤其是汽車和安全應(yīng)用領(lǐng)域，嵌入式快閃存儲(chǔ)器將會(huì)非常長(zhǎng)的使用壽命，但是沒有擴(kuò)展空間，當(dāng)達(dá)到28nm制程以上時(shí)，其實(shí)嵌入式快閃存儲(chǔ)器會(huì)成為非常昂貴的選擇。

STT-MRAM剛好為2xnm及以上的嵌入式存儲(chǔ)器應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。先作為補(bǔ)充技術(shù)，逐步替代嵌入式DRAM和SRAM，也是MRAM的巨大機(jī)會(huì)，將為處理器添加持久性功能。

STT-MRAM是新技術(shù)，客戶也許需要耗費(fèi)點(diǎn)時(shí)間進(jìn)行整合，各種制造上的困難也必須處理, 不是全部晶圓代工客戶都需要22nm以上的芯片。 MRAM應(yīng)該會(huì)因?yàn)閹讉€(gè)因素，成為一個(gè)大市場(chǎng)或利基解決方案，包括多個(gè)供應(yīng)商和一系列的應(yīng)用推動(dòng)STT-MRAM發(fā)展，此外，主要代工廠投入STT-MRAM也可能會(huì)推動(dòng)規(guī)模經(jīng)濟(jì)化，降低技術(shù)成本。4大代工廠都決定為嵌入式客戶投入開發(fā)作業(yè)，三星有自己的IP，其他代工廠正在與各種合作伙伴合作。美光(Micron)、英特爾(Intel)和東芝與SK海力士都投入MRAM研發(fā)，同時(shí)，幾家新創(chuàng)公司如Crocus、Avalanche、Spin Transfer Technologies都正在開發(fā)。對(duì)大多數(shù)企業(yè)而言，生產(chǎn)MRAM說(shuō)起來(lái)比做容易，因?yàn)镸RAM涉及集成方案和設(shè)備，開發(fā)新材料、與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，生產(chǎn)流程也不同。

在晶圓廠的進(jìn)展中，STT-MRAM目前有2個(gè)用例，第一個(gè)是替換嵌入式快閃存儲(chǔ)器，另一個(gè)是嵌入式SRAM，業(yè)界一致認(rèn)為，STT-MRAM是一個(gè)很好的嵌入式解決方案。多年來(lái)，業(yè)界一直在探索STT-MRAM的發(fā)展，同時(shí)也專注準(zhǔn)備MRAM研發(fā)，包括SOT-MRAM磁存儲(chǔ)器, 作為基于SRAM技術(shù)的緩存替代品,但最終目標(biāo)是取代DRAM，現(xiàn)在還在努力探索中。


本文關(guān)鍵詞： SRAM    DRAM   NOR Flash

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