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      單芯片F(xiàn)RAM存儲解決方案成為嵌入式設(shè)計的理想選擇

      2017-12-25 14:15:45

      人們選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、讀寫速度、使用壽命、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014次)和抗輻射特性,非常適合許多工業(yè)類和醫(yī)療類應(yīng)用。

      在工業(yè)計算機與嵌入式系統(tǒng)展上,富士通半導(dǎo)體公司(Fujitsu)市場部高級產(chǎn)品工程師伍宏杰表示,F(xiàn)RAM是嵌入式領(lǐng)域一個比較有優(yōu)勢的產(chǎn)品,對設(shè)計有幫助,很多工程師都表示有興趣使用這樣一款存儲器。

      FRAM使得設(shè)計產(chǎn)品無需配備后備電池和掉電保護電路。單芯片F(xiàn)RAM解決方案能夠使產(chǎn)品體積做得更小,減少維護和保養(yǎng)成本,滿足環(huán)保、低功耗等要求。其高速讀寫/高讀寫耐久性能夠滿足對患者信息數(shù)據(jù)實時頻繁記錄的要求。其抗輻射性則非常適用于需要對產(chǎn)品進行射線消毒的領(lǐng)域。這些優(yōu)點都非常適合便攜式醫(yī)療器械應(yīng)用。

      對于一些工業(yè)和通信類應(yīng)用,工程師往往會選用SRAM加EEPROM及電容的存儲方案,靠電容維持SRAM運作,然后將SRAM的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM中。這樣,相對單一的鐵電存儲器方案,系統(tǒng)的復(fù)雜度增加了很多,而且這也存在一定的風險。選用SRAM加電池來存儲,同樣沒有多少優(yōu)勢,而且電池也存在一定使用壽命;在野外等工作環(huán)境比較惡劣的情況下,電池還有可能會腐爛。而鐵電存儲器只要一顆就可以解決,并且可以減少不必要的風險。

      在醫(yī)療領(lǐng)域,F(xiàn)RAM的最大優(yōu)點在于它的抗輻射性。而對于工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用(比如電表和流量計應(yīng)用),它們對數(shù)據(jù)的記錄非常頻繁(ms級),F(xiàn)RAM的優(yōu)點在于高耐久性。對于汽車應(yīng)用,考慮到駕車的安全性,在停車前的15s或30s需要將汽車的行駛狀況記錄下來。如果存儲器存儲速度不夠快,最后的關(guān)鍵數(shù)據(jù)可能丟失。鐵電存儲器能夠很好地滿足這類應(yīng)用。

      最后,伍宏杰表示,對于產(chǎn)品性能參數(shù)方面(包括讀寫速度、功耗等),該公司的FRAM都能基本達到客戶要求。同時,富士通的FRAM今后會越做越寬(不同的電壓和接口類型等),并推出更多大容量的產(chǎn)品。很多工程師在設(shè)計產(chǎn)品時需要用到很大容量的存儲器,但是如果FRAM容量太大導(dǎo)致成本無法接受的話,有一種解決方法是采用小容量的FRAM存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù),將不太重要的數(shù)據(jù)存儲到FLASH或EEPROM中,這樣既解決了成本問題,安全性又能得到保障。

      本文關(guān)鍵詞:單芯片F(xiàn)RAM

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