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      Everspin并行接口MRAM

      2018-05-03 10:08:17

             EverSpin的技術是領先的開發商和磁性RAM(MRAM)制造商,提供獨立和嵌入式MRAM產品。作為世界上第一個量MRAM的供應商,EverSpin的已確立了自己的“MRAM公司”擁有超過600項專利和應用,其中許多是根本和MRAM技術必不可少的知識產權組合。今天EverSpin的MRAM交付產品在數據中心和存儲,能源和基礎設施,以及汽車和交通運輸市場廣泛應用,并期望成為ST-MRAM的業界首款量的供應商。
      everspin
      Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存儲器,具有快速(35ns)、非易失性、無限次讀寫的特性,可完全替代SRAM、FRAM。對于必須永久保存、快速恢復重要數據和程序的應用,MRAM存儲器是理想的存儲器方案。

      以下是Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存儲器的型號參考:
      Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
      16Mb 1Mx16 MR4A16BYS35 54-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      16Mb 1Mx16 MR4A16BCYS35 54-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
      16Mb 1Mx16 MR4A16BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      16Mb 1Mx16 MR4A16BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
      16Mb 2Mx8 MR4A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      16Mb 2Mx8 MR4A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
      16Mb 2Mx8 MR4A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      16Mb 2Mx8 MR4A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +85℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
      4Mb 256Kx16 MR2A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08AMYS35 44-TSOP 3.3V -40 ℃to +125℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08AMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      4Mb 512Kx8 MR2A08ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
      1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
      1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
      1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
      1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
      1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
      1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
      1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
      1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
      1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
      1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
      256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
      256Kb 32Kx8 MR256A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
      256Kb 32Kx8 MR256D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
      256Kb 32Kx8 MR256DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
      256Kb 32Kx8 MR256A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

      本文關鍵詞:并行接口MRAM

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